Les générations technologiques de cellules photovoltaïques plates ont évolué au fil du temps, donnant naissance à ce qu'on appelle dans le jargon « première génération », « deuxième génération » et « troisième génération ». On peut noter que les cellules monocristallines de silicium ou multicristallines (Si mono ou Si multi) sont appelées cellules de première génération. Il est à noter que l'évolution technologique est également liée aux politiques énergétiques de la Communauté européenne, qui ont estimé que le photovoltaïque ces dernières années représente la technologie capable de conduire à des objectifs à long terme pour la production d'électricité. En effet, au sein de la Communauté européenne, on pense que le photovoltaïque peut contribuer à l'approvisionnement en électricité dans une perspective de long terme et que sa contribution ne sera appréciable qu'en 2030, date à laquelle une incidence ne dépassant pas 1% est estimée de la demande européenne d'électricité. La technologie du silicium cristallin qui consiste à utiliser des plaquettes de silicium typiquement destinées à l'industrie électronique, dite de première génération car la première à être utilisée et appliquée industriellement, est de loin la plus consolidée, à la fois monocristalline et polycristalline, avec une couverture du marché mondial par actions, au moins ces dernières années, entre 90 % et 95 %. La production de cellules photovoltaïques d'une surface désormais supérieure à 150 cm2, permet le câblage de modules plats à haute puissance et un rendement record proche de 20%.
Les panneaux solaires de troisième génération
Les panneaux photovoltaïques de troisième génération sont fabriqués avec des matériaux autres que le silicium. La technologie des couches minces a été largement monopolisée par le silicium amorphe, mais récemment elle s'est focalisée sur le développement de cellules à base de Telluriide de Cadmium ( CdTe ), d'Indium et de Séléniure de Cuivre, dans le jargon « CIS », c'est-à-dire le Cuivre (Cuivre), l'Indium ( Indium), Sélénium (Sélénium), Indium Cuivre et Séléniure de Gallium ( CIGS ) et autres films minces polycristallins, pour lesquels le développement de substrats transparents flexibles et de films transparents conducteurs prend souvent de l'importance. La technologie CIS est développée depuis longtemps sur le marché allemand et américain. Les modules CdTe, en revanche, font preuve d'une excellente stabilité aux tests de vieillissement accéléré et les innovations de la recherche concernent avant tout l'évolutivité au niveau industriel du processus de production et la reproductibilité des performances des modules.
